BSS308PEH6327

BSS308PEH6327屬性

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BSS308PEH6327描述

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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 2 A
Rds On-漏源導通電阻: 62 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 2.8 ns
正向跨導 - 最小值: 4.6 S
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.7 ns
系列: BSS308
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 15.3 ns
典型接通延遲時間: 5.6 ns
寬度: 1.3 mm
零件號別名: BSS38PEH6327XT SP000928942 BSS308PEH6327XTSA1
單位重量: 8 mg

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