CSD22202W15
CSD22202W15屬性
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CSD22202W15描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DSBGA-9
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 8 V
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 17.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 6 V, + 6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Qg-柵極電荷: 6.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 38 ns
高度: 0.62 mm
長度: 1.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.4 ns
系列: CSD22202W15
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 109 ns
典型接通延遲時間: 10.4 ns
寬度: 1.5 mm
單位重量: 2.500 mg