BSV236SP H6327

BSV236SP H6327屬性

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BSV236SP H6327描述

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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 1.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 131 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 5.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 560 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 12.2 ns
正向跨導 - 最小值: 2.2 S
高度: 0.9 mm
長度: 2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.5 ns
系列: BSV236
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 14.1 ns
典型接通延遲時間: 5.7 ns
寬度: 1.25 mm
零件號別名: BSV236SPH6327XT SP000917672 BSV236SPH6327XTSA1
單位重量: 7.500 mg

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