TPS1100DR
- 發布時間：2021/10/19 11:49:42
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
TPS1100DR屬性
- 0
- TI
TPS1100DR描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 15 V
Id-連續漏極電流: 1.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 400 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 2 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 5.45 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 791 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 2.5 S
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: TPS1100
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: PMOS Switches
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 4.5 ns
寬度: 3.9 mm
單位重量: 74 mg
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聯系方式
- 聯系人：梁小姐
- 地 址：華強廣場B座7樓001室
- 郵 編：518000
- 電 話：17876146278/1581408197
- 傳 真：
- 郵 箱：1943137555@qq.com
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