IKW40N120T2
- 發布時間：2021/10/22 11:35:54
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
IKW40N120T2屬性
- 0
- INFINEON
IKW40N120T2描述
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.75 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 75 A
Pd-功率耗散: 480 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT2
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
高度: 20.9 mm
長度: 15.9 mm
產品類型: IGBT Transistors
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
寬度: 5.03 mm
零件號別名: IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
單位重量: 38 g
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