IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-05屬性

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IPB80N06S4-05描述

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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 5.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 81 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: IPB80N06S4
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB80N06S4-05 SP001028718
單位重量: 4 g

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