IRFR9N20DTRPBF

IRFR9N20DTRPBF屬性

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IRFR9N20DTRPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 9.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 380 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 86 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 9.3 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Smps MOSFET
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 7.5 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

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