IRFTS9342TRPBF

IRFTS9342TRPBF屬性

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IRFTS9342TRPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 4.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 66 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
商標名: HEXFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3 mm
產品類型: MOSFET
系列: P-Channel Power Mosfet
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.5 mm
零件號別名: IRFTS9342TRPBF SP001571652
單位重量: 20 mg

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