IRF9Z34NSTRRPBF

IRF9Z34NSTRRPBF屬性

---

IRF9Z34NSTRRPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 19 A
Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 41 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 55 ns
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IRF9Z34NSTRRPBF SP001551716
單位重量: 330 mg

---

IRF9Z34NSTRRPBF相關產品