IKW30N60H3
- 發布時間：2021/11/10 11:01:42
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
IKW30N60H3屬性
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- INFINEON
IKW30N60H3描述
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.95 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 187 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: IGBT Transistors
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
寬度: 5.31 mm
零件號別名: IKW3N6H3XK SP000703042 IKW30N60H3FKSA1
單位重量: 6.500 g
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