BCP56-16T1G
BCP56-16T1G屬性
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BCP56-16T1G描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 80 V
集電極—基極電壓 VCBO: 100 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 0.5 V
最大直流電集電極電流: 1 A
Pd-功率耗散: 1.5 W
增益帶寬產品fT: 130 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BCP56
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
集電極連續電流: 1 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 25
高度: 1.57 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
子類別: Transistors
技術: Si
寬度: 3.5 mm
單位重量: 112 mg