IRF7379PBF

IRF7379PBF屬性

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IRF7379PBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 5.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 75 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 16.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Dual
下降時間: 7.7 ns, 18 ns
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 21 ns, 17 ns
95
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
類型: Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 22 ns, 25 ns
典型接通延遲時間: 6.8 ns, 11 ns
寬度: 3.9 mm
零件號別名: SP001555260
單位重量: 540 mg

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