IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF屬性

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IRF9389TRPBF描述

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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 6.8 A, 4.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 22 mOhms, 51 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V
Qg-柵極電荷: 6.8 nC, 8.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商標名: HEXFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Dual
下降時間: 3.9 ns, 15 ns
正向跨導 - 最小值: 8.2 S, 4.1 S
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.8 ns, 14 ns
系列: IRF939
4000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 4.9 ns, 17 ns
典型接通延遲時間: 5.1 ns, 8 ns
寬度: 3.9 mm
零件號別名: IRF9389TRPBF SP001551666
單位重量: 540 mg

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