FQA28N50
FQA28N50屬性
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FQA28N50描述
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PN-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 28.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 160 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 310 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 175 ns
正向跨導 - 最小值: 28 S
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 290 ns
系列: FQA28N50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 250 ns
典型接通延遲時間: 100 ns
寬度: 5 mm
零件號別名: FQA28N50_NL
單位重量: 4.600 g