IRFB4212PBF
- 發布時間：2021/11/18 11:04:09
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IRFB4212PBF屬性
- IRFB4212PBF
- INFINEON
IRFB4212PBF描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導通電阻: 72.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
Pd-功率耗散: 60 W
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: SP001555992
單位重量: 2 g
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公網安備44030402000607
