IRGB6B60KPBF

IRGB6B60KPBF屬性

---

IRGB6B60KPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-220AB-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.8 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 13 A
Pd-功率耗散: 90 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: RC
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 8.77 mm
長度: 10.54 mm
產品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
寬度: 4.69 mm
零件號別名: SP001537610
單位重量: 6 g

---

IRGB6B60KPBF相關產品