2SK1317-E
2SK1317-E屬性
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- RENESAS/瑞薩
2SK1317-E描述
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 12 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Renesas Electronics
高度: mm
長度: mm
產品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
寬度: mm
單位重量: 1.600 g