STP55NF06

STP55NF06屬性

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STP55NF06描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 44.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導 - 最小值: 18 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
系列: STP55NF06
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
寬度: 4.6 mm
單位重量: 2 g

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