IRF730BPBF
IRF730BPBF屬性
- IRF730BPBF
- VISHAY
IRF730BPBF描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 400 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
產品類型: MOSFET
系列: IRF
1000
子類別: MOSFETs
單位重量: 2 g