IXFH46N65X2
IXFH46N65X2屬性
- TO-247
- IXYS
IXFH46N65X2描述
IXFH46N65X2 IXYS
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
46A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
76 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
4810 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
660W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247(IXTH)
封裝/外殼
TO-247-3
IXFH46N65X2相關產品
同類產品
- 141-5SM+兆億微波商城
- AD7191引腳可編程、超低噪聲、24位、Σ-Δ型ADC,用于橋式傳感器
- ADF4107BRUZ-REEL7
- SN74AHC04DR
- LMR23630FDRRT
- AD7896ARZ
- NAT-10DC-1A+
- ADS774JU
- CDCLVP1208RHDR
- UJ3C065080T3S
- IXFH34N65X2
- MOSFET
- ADR5043ARTZ--SC70和SOT-23封裝
- 0603N1R8C500CT-電子元器件采購
- IRFU120NPBF-原裝現貨
- CC0805KRX7RYBB152-原裝現貨
- TL391B-Q1具有替代引腳分配的汽車級 36V 單比較器
- ADMV113937 GHz至48 GHz、5G、微波上變頻器和下變頻器
- HMC3653LP3BE-射頻放大器
- TGAN60N60F2DS