IRFR18N15DTRPBF

IRFR18N15DTRPBF屬性

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IRFR18N15DTRPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導通電阻: 125 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.5 V
Qg-柵極電荷: 28 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

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