FGH60N60SMD
- 發布時間：2021/12/3 14:58:09
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
FGH60N60SMD屬性
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FGH60N60SMD描述
封裝 / 箱體: TO-247
安裝風格: Through Hole
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.9 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 120 A
Pd-功率耗散: 600 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: FGH60N60SMD
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
子類別: IGBTs
單位重量: 6.390 g
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聯系方式
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