FGL60N100BNTD
- 發布時間：2021/12/9 14:24:19
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
FGL60N100BNTD屬性
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FGL60N100BNTD描述
封裝 / 箱體: TO-264-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1000 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: 25 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 180 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: FGL60N100BNTD
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
集電極連續電流: 60 A
集電極最大連續電流 Ic: 60 A
柵極—射極漏泄電流: +/- 500 nA
高度: 26 mm
長度: 20 mm
產品類型: IGBT Transistors
子類別: IGBTs
寬度: 5 mm
零件號別名: FGL60N100BNTDTU_NL
單位重量: 6.756 g
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聯系方式
- 聯系人：梁小姐
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