IRGP4063DPBF

IRGP4063DPBF屬性

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IRGP4063DPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2.14 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 96 A
Pd-功率耗散: 330 W
最小工作溫度: - 55 C
系列: Thyristor/Diode Module
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: IGBT Transistors
25
子類別: IGBTs
寬度: 5.31 mm
零件號別名: IRGP4063DPBF SP001549776
單位重量: 38 g

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