FDP18N50
- 發布時間：2021/12/22 10:40:01
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
FDP18N50屬性
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- ON
FDP18N50描述
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導通電阻: 265 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 90 ns
正向跨導 - 最小值: 25 S
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 165 ns
系列: FDP18N50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 95 ns
典型接通延遲時間: 55 ns
寬度: 4.7 mm
單位重量: 2 g
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聯系方式
- 聯系人：梁小姐
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