IPD70R600P7S

發布時間：2021/12/25 10:44:42
所屬類別：片狀元器件 » 其它片狀元器件
公司：深圳市金啟寧科技有限公司
聯系人：曾小姐

IPD70R600P7S屬性

本站價格：
用途：分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
規格：TO252
市場價格：
生產廠家：INFINEON

IPD70R600P7S描述

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET
Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET 的性價比屬同類最佳，簡單易用，能夠應對各種應用的挑戰。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發用于反激式低功耗SMPS應用，包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設計用于小功率應用，而且還用于大功率SMPS應用，如太陽能逆變器、服務器、電信和電動汽車充電站。P7 MOSFET經過徹底優化，用于硬開關和軟開關拓撲結構。
600V COOLMOS P7 MOSFET
Infineon 600V CoolMOS P7 MOSFET是第7代器件，采用例如高壓功率MOSFET的革命性技術。該款晶體管按照超級結 (SJ) 原理進行設計，由Infineon Technologies首創。600V CoolMOS P7將快速開關SJ MOSFET的優勢與出色的易用性相結合。600V P7具有極低的振鈴傾向、針對硬huanxiang的優異的體二極管耐受性，以及出色的ESD能力。極低的開關損耗和導通損耗使開關應用變得更高效、更緊湊、散熱更佳。

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700V COOLMOS P7 MOSFET
Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFET是高壓功率MOSFET的一項革命性技術。該款700V晶體管按照超級結 (SJ) 原理進行設計，由Infineon首創。最新的700V CoolMOS P7是一個經過優化的平臺，專為消費市場的成本敏感型應用量身定制，如充電器、適配器、照明、電視等。

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800V COOLMOS P7 MOSFET
Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET結合了同類最佳性能和易用性兩大優勢。P7在800V超級結技術方面樹立了新基準。該晶體管具有高達0.6%的效率增益和2°C至8°C的較低MOSFET溫度。

該晶體管具有經過優化的器件參數，如 EOSS 和 Qg 下降 50% 以上，Ciss 和 Coss 也降低。CoolMOS P7 還通過較低的開關損耗和更好的 DPAK RDS(on) 產品實現較高的功率密度設計。CoolMOS P7非常適合用于低功耗SMPS應用。

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950V COOLMOS™ P7 SJ MOSFET
Infineon Technologies 950V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET采用950V超級結技術，將同類最佳性能和出色的易用性相結合。這些MOSFET帶有集成的齊納二極管靜電放電 (ESD) 保護。集成二極管提高了ESD耐受性，可降低與ESD相關的產量損失，并提供出色的易用性。這些MOSFET具有3V VGS(th)，窄容差僅為±0.5V，因此易于驅動和設計。該款950V SJ MOSFET具有低DPAK RDS(on)，可實現更高密度，同時減少BOM、降低組裝成本。