BSC120N03LS G
BSC120N03LS G屬性
- BSC120N03LS G
- INFINEON
BSC120N03LS G描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 39 A
Rds On-漏源導通電阻: 10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 2.2 ns
正向跨導 - 最小值: 25 S
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 2.2 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 2.7 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: BSC120N03LS G SP000302848
單位重量: 242 mg