BSO110N03MSG
BSO110N03MSG屬性
- BSO110N03MSG
- INFINEON
BSO110N03MSG描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 12.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 4.4 ns
正向跨導 - 最小值: 16 S
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
濕度敏感性: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.4 ns
系列: OptiMOS 3M
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 9.5 ns
典型接通延遲時間: 7.8 ns
寬度: 3.9 mm
零件號別名: BSO11N3MSGXT SP000446062 BSO110N03MSGXUMA1
單位重量: 540 mg