IRF200S234

IRF200S234屬性

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IRF200S234描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導通電阻: 14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 162 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 417 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 37 ns
正向跨導 - 最小值: 96 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 58 ns
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 67 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
零件號別名: IRF200S234 SP001593688
單位重量: 2 g

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