IPB200N25N3G

IPB200N25N3G屬性

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IPB200N25N3G描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 64 A
Rds On-漏源導通電阻: 17.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 86 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 12 ns
正向跨導 - 最小值: 61 S
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
系列: OptiMOS 3
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
單位重量: 4 g

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