IPP111N15N3 G

IPP111N15N3 G屬性

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IPP111N15N3 G描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 83 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 55 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 9 ns
正向跨導 - 最小值: 47 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 35 ns
系列: OptiMOS 3
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 32 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: SP000677860 IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1
單位重量: 2 g

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