SPB07N60S5

SPB07N60S5屬性

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SPB07N60S5描述

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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: GaN
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 7.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 600 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 20 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 40 ns
系列: CoolMOS S5
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 170 ns
典型接通延遲時間: 120 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: SPB07N60S5ATMA1
單位重量: 4 g

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