SPD30N03S2L-10 G

SPD30N03S2L-10 G屬性

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SPD30N03S2L-10 G描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 7.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 41.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 17 ns
正向跨導 - 最小值: 23.8 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 6.1 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: SPD30N03S2L10GXT SP000443918 SPD30N03S2L10GBTMA1
單位重量: 330 mg

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