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SPU18P06P

SPU18P06P產品圖片
  • 發布時間:2022/2/28 14:08:37
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市騰樁電子有限公司

SPU18P06P屬性

  • SPU18P06P
  • INFINEON

SPU18P06P描述


產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-251-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 18.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 130 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 80 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 11 ns
高度: 6.22 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 5.8 ns
1500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 24.5 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
寬度: 2.38 mm
單位重量: 340 mg


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