STW4N150

STW4N150屬性

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STW4N150描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導通電阻: 7 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 160 W
通道模式: Enhancement
商標名: PowerMESH
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 45 ns
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 30 ns
系列: STW4N150
600
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
寬度: 5.15 mm
單位重量: 6 g

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