BD435

BD435屬性

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BD435描述

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制造商: STMicroelectronics
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-32-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 32 V
集電極—基極電壓 VCBO: 32 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 0.2 V
最大直流電集電極電流: 4 A
Pd-功率耗散: 36 W
增益帶寬產品fT: 3 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BD435
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
集電極連續電流: 4 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 40
高度: 10.8 mm
長度: 7.8 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
50
子類別: Transistors
技術: Si
寬度: 2.7 mm
單位重量: 60 mg

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