STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5屬性

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STS8DN3LLH5描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 15.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 22 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 5.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.7 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
配置: Dual
下降時間: 3.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.2 ns
系列: STS8DN3LLH5
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 21.1 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
單位重量: 74 mg

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