STS10DN3LH5

STS10DN3LH5屬性

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STS10DN3LH5描述

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制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 22 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 4.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Reel
商標: STMicroelectronics
配置: Dual
產品類型: MOSFET
系列: STS10DN3LH5
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
單位重量: 74 mg

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