STD5NM60T4

STD5NM60T4屬性

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STD5NM60T4描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 2.4 S
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: STD5NM60
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 6.2 mm
單位重量: 330 mg

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