IPD30N10S3L-34
- 發布時間：2022/3/25 11:44:48
- 所屬類別：片狀元器件 » 片狀晶體
- 公 司：深圳市興中芯科技有限公司
IPD30N10S3L-34屬性
- TO-252-3
- Infineon
IPD30N10S3L-34描述
產品屬性屬性值
制造商：Infineon
產品種類：MOSFET
RoHS：詳細信息
技術：Si
安裝風格：SMD/SMT
封裝/箱體：TO-252-3
晶體管極性：N-Channel
通道數量：1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100V
Id-連續漏極電流：30A
RdsOn-漏源導通電阻：31mOhms
Vgs-柵極-源極電壓：-20V，+20V
Vgsth-柵源極閾值電壓：1。2V
Qg-柵極電荷：24nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+175C
Pd-功率耗散：57W
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
商標名：OptiMOS
封裝：Reel
封裝：CutTape
封裝：MouseReel
商標：InfineonTechnologies
配置：Single
下降時間：3ns
高度：2。3mm
長度：6。5mm
產品類型：MOSFET
上升時間：4ns
系列：OptiMOS-T
子類別：MOSFETs
晶體管類型：1N-Channel
典型關閉延遲時間：18ns
典型接通延遲時間：6ns
寬度：6。22mm
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