NTR1P02LT1G

NTR1P02LT1G屬性

---

NTR1P02LT1G描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 1.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 350 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.25 V
Qg-柵極電荷: 3.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
配置: Single
下降時間: 15 ns
高度: 0.94 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
系列: NTR1P02L
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 18 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
寬度: 1.3 mm
單位重量: 8 mg

---

NTR1P02LT1G相關產品