FQPF4N90C

FQPF4N90C屬性

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FQPF4N90C描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 47 W
通道模式: Enhancement
商標名: QFET
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 35 ns
正向跨導 - 最小值: 5 S
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
系列: FQPF4N90C
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 4.9 mm
零件號別名: FQPF4N90C_NL
單位重量: 2 g

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