MJD45H11T4G
MJD45H11T4G屬性
- MJD45H11T4G
- ON
MJD45H11T4G描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: PNP
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: - 80 V
集電極—基極電壓 VCBO: -
發射極 - 基極電壓 VEBO: - 5 V
集電極—射極飽和電壓: - 1 V
最大直流電集電極電流: - 8 A
Pd-功率耗散: 20 W
增益帶寬產品fT: 90 MHz
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MJD45H11
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
集電極連續電流: 8 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 60
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
2500
子類別: Transistors
技術: Si
寬度: 6.22 mm
單位重量: 351 mg