FDN358P

FDN358P屬性

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FDN358P描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 1.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 125 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 5.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 13 ns
正向跨導 - 最小值: 3.5 S
高度: 1.12 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
系列: FDN358P
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
寬度: 1.4 mm
零件號別名: FDN358P_NL
單位重量: 30 mg

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