FQP5N60C

FQP5N60C屬性

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FQP5N60C描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 4.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
商標名: QFET
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 46 ns
正向跨導 - 最小值: 4.7 S
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 42 ns
系列: FQP5N60C
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 4.7 mm
零件號別名: FQP5N60C_NL
單位重量: 2 g

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