PMV117EN T/R
PMV117EN T/R屬性
- PMV117EN T/R
- NXP
PMV117EN T/R描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標: NXP Semiconductors
配置: Single
下降時間: 7.5 ns
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.5 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 18 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
零件號別名: PMV117EN,215
單位重量: 8 mg