CSD17571Q2

CSD17571Q2屬性

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CSD17571Q2描述

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詳細參數


參數名稱

參數值


Source Content uid CSD17571Q2
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1361405027
包裝說明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
風險等級 1.76
Samacsys Description 30V, N ch NexFET MOSFET™, single SON2x2, 29mOhm
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 7.2 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 22 A
最大漏極電流 (ID) 7.6 A
最大漏源導通電阻 0.029 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 12 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-N8
JESD-609代碼 e4
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 39 A
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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