PHK12NQ03LT T/3
PHK12NQ03LT T/3屬性
- PHK12NQ03LT T/3
- NXP
PHK12NQ03LT T/3描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 11.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 10.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標: NXP Semiconductors
配置: Single
下降時間: 19 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 11.7 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 37 ns
典型接通延遲時間: 10.6 ns
零件號別名: PHK12NQ03LT,518
單位重量: 750 mg
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