SPW47N60C3
- 發布時間：2022/4/21 17:29:24
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰浩偉業電子有限公司
SPW47N60C3屬性
- 0
- TO-247
- 0
- INFINEON
SPW47N60C3描述
參數名稱 參數值
Source Content uid SPW47N60C3
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1918651822
零件包裝代碼 TO-247AC
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 1.81
Samacsys Description N-channel MOSFET,SPW47N60C3 47A 650V
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 1800 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 47 A
最大漏極電流 (ID) 47 A
最大漏源導通電阻 0.07 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247AC
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 415 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 141 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON
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