GWA19NC60HD

GWA19NC60HD屬性

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GWA19NC60HD描述

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詳細參數


參數名稱

參數值


Source Content uid STGWA19NC60HD
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1053807692
零件包裝代碼 TO-247
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 2.2
外殼連接 COLLECTOR
最大集電極電流 (IC) 52 A
集電極-發射極最大電壓 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
門極發射器閾值電壓最大值 5.75 V
門極-發射極最大電壓 20 V
JEDEC-95代碼 TO-247
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 208 W
子類別 Insulated Gate BIP Transistors
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 POWER CONTROL
晶體管元件材料 SILICON
標稱斷開時間 (toff) 272 ns
標稱接通時間 (ton) 32 ns

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